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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > ULN2803AFWG,C,EL
ULN2803AFWG,C,EL
Modelo do Produto:
ULN2803AFWG,C,EL
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18574 Pieces
Ficha de dados:
ULN2803AFWG,C,EL.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:18-SOL
Série:-
Power - Max:1.31W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Outros nomes:Q10279048G
Q10590952
ULN2803AFWG (C,EL
ULN2803AFWG (C,ELHA
ULN2803AFWG(5,EL,M
ULN2803AFWG(5,EL,M)
ULN2803AFWG(5ELMTR
ULN2803AFWG(5ELMTR-ND
ULN2803AFWG(C,ELHA
ULN2803AFWG(CELHATR
ULN2803AFWG(CELHATR-ND
ULN2803AFWG(O,EL,M
ULN2803AFWG(OELMTR
ULN2803AFWG(OELMTR-ND
ULN2803AFWG5ELMTR
ULN2803AFWG5ELMTR-ND
ULN2803AFWGCELHA
ULN2803AFWGCELTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ULN2803AFWG,C,EL
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
Descrição:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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