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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > UMZ8NTR
UMZ8NTR
UMZ8NTR
Modelo do Produto:
UMZ8NTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18210 Pieces
Ficha de dados:
UMZ8NTR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT6
Série:-
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:UMZ8NTR
Frequência - Transição:180MHz, 260MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 12V 150mA, 500mA 180MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
Descrição:TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA, 500mA
Email:[email protected]

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