UPA2766T1A-E2-AY
UPA2766T1A-E2-AY
Modelo do Produto:
UPA2766T1A-E2-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18436 Pieces
Ficha de dados:
UPA2766T1A-E2-AY.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-HVSON (5.4x5.15)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta), 83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:UPA2766T1A-E2-AYTR
UPA2766T1AE2AY
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:UPA2766T1A-E2-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10850pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:257nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 130A (Tc) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5.4x5.15)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

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