US6M11TR
Modelo do Produto:
US6M11TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13811 Pieces
Ficha de dados:
US6M11TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:US6M11TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V, 12V
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A, 1.3A
Email:[email protected]

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