Comprar VMO580-02F com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 50mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | Y3-Li |
Série: | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.8 mOhm @ 430A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | - |
Embalagem: | Bulk |
Caixa / Gabinete: | Y3-Li |
Outros nomes: | Q1221985A VMO58002F |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Chassis Mount |
Número de peça do fabricante: | VMO580-02F |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2750nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 580A |
Email: | [email protected] |