Comprar VN0106N3-G com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | VN0106N3-G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 65pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |