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Casa > Produtos > IC de gerenciamento de energia > MPCI - Switches de distribuição de energia, contro > VNS1NV04DPTR-E
VNS1NV04DPTR-E
VNS1NV04DPTR-E
Modelo do Produto:
VNS1NV04DPTR-E
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19629 Pieces
Ficha de dados:
VNS1NV04DPTR-E.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD):Not Required
Tensão - Carga:36V (Max)
Tipo de interruptor:General Purpose
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:OMNIFET II™, VIPower™
Rds On (Tipo):250 mOhm (Max)
Rácio - Entrada: Saída:1:1
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de saída:N-Channel
Configuração de saída:Low Side
Outros nomes:497-11722-2
VNS1NV04DPTR-E-ND
VNS1NV04DPTRE
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Número de saídas:2
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:VNS1NV04DPTR-E
Interface:On/Off
Tipo de entrada:Non-Inverting
Características:-
Proteção contra Falhas:Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Descrição:MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Atual - Saída (Max):1.7A
Email:[email protected]

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