VQ1006P-E3
Modelo do Produto:
VQ1006P-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13460 Pieces
Ficha de dados:
VQ1006P-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:14-DIP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.5 Ohm @ 1A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:-
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:VQ1006P-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:4 N-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):90V
Descrição:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:400mA
Email:[email protected]

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