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VS-10ETF12S-M3
- Modelo do Produto:
- VS-10ETF12S-M3
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrição:
- DIODE RET 1200V 10A D2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14586 Pieces
- Ficha de dados:
- VS-10ETF12S-M3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para VS-10ETF12S-M3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para VS-10ETF12S-M3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.33V @ 10A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D2PAK |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 310ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de Operação - Junção: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | VS-10ETF12S-M3 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount D2PAK |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE RET 1200V 10A D2PAK |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 10A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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