VS-8EWS12STRPBF
VS-8EWS12STRPBF
Modelo do Produto:
VS-8EWS12STRPBF
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descrição:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16398 Pieces
Ficha de dados:
VS-8EWS12STRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.1V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-PAK (TO-252AA)
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:8EWS12STRPBF
8EWS12STRPBF-ND
Q4803450
VS-8EWS12STRPBF-ND
VS-8EWS12STRPBFGITR
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:VS-8EWS12STRPBF
Descrição expandida:Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Atual - dispersão reversa @ Vr:50µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):8A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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