VS-GB75LP120N
Modelo do Produto:
VS-GB75LP120N
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descrição:
IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16376 Pieces
Ficha de dados:
VS-GB75LP120N.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.82V @ 15V, 75A (Typ)
Embalagem do dispositivo fornecedor:INT-A-PAK
Série:-
Power - Max:658W
Caixa / Gabinete:INT-A-PAK (3 + 4)
Outros nomes:VSGB75LP120N
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:VS-GB75LP120N
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:5.52nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição expandida:IGBT Module Single 1200V 170A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
Descrição:IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
Atual - Collector Cutoff (Max):1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):170A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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