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VS-GT300YH120N
- Modelo do Produto:
- VS-GT300YH120N
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrição:
- IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19370 Pieces
- Ficha de dados:
- VS-GT300YH120N.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para VS-GT300YH120N, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para VS-GT300YH120N por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.17V @ 15V, 300A (Typ) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Double INT-A-PAK |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1042W |
| Caixa / Gabinete: | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
| Outros nomes: | VSGT300YH120N |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | No |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 19 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | VS-GT300YH120N |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce: | 36nF @ 30V |
| Entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench |
| Descrição expandida: | IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 341A 1042W Chassis Mount Double INT-A-PAK |
| Descrição: | IGBT 1200V 341A 1042W DIAP |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 300µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 341A |
| Configuração: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
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