VS-GT400TH60N
Modelo do Produto:
VS-GT400TH60N
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descrição:
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15216 Pieces
Ficha de dados:
VS-GT400TH60N.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.05V @ 15V, 400A
Embalagem do dispositivo fornecedor:Double INT-A-PAK
Série:-
Power - Max:1600W
Caixa / Gabinete:Double INT-A-PAK (3 + 8)
Outros nomes:VSGT400TH60N
Temperatura de operação:175°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:VS-GT400TH60N
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:30.8nF @ 30V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench
Descrição expandida:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
Descrição:IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Atual - Collector Cutoff (Max):5mA
Atual - Collector (Ic) (Max):530A
Configuração:Half Bridge
Email:[email protected]

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