VS-GT50TP60N
Modelo do Produto:
VS-GT50TP60N
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descrição:
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17793 Pieces
Ficha de dados:
VS-GT50TP60N.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:INT-A-PAK
Série:-
Power - Max:208W
Caixa / Gabinete:INT-A-PAK (3 + 4)
Outros nomes:VSGT50TP60N
Temperatura de operação:175°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:VS-GT50TP60N
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:3.03nF @ 30V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench
Descrição expandida:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 85A 208W Chassis Mount INT-A-PAK
Descrição:IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Atual - Collector Cutoff (Max):1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):85A
Configuração:Half Bridge
Email:[email protected]

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