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VT6M1T2CR
- Modelo do Produto:
- VT6M1T2CR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12829 Pieces
- Ficha de dados:
- VT6M1T2CR.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para VT6M1T2CR, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para VT6M1T2CR por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VMT6 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Power - Max: | 120mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-SMD, Flat Leads |
| Outros nomes: | VT6M1T2CRTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 17 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | VT6M1T2CR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para VT6M1T2CR
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
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SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | inquérito |
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