Comprar ZXGD3001E6TA com BYCHPS
Compre com garantia
ZXGD3001E6TA
- Modelo do Produto:
- ZXGD3001E6TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13811 Pieces
- Ficha de dados:
- ZXGD3001E6TA.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para ZXGD3001E6TA, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para ZXGD3001E6TA por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Fornecimento: | 12V (Max) |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-6 |
| Série: | - |
| Aumento / tempo de queda (típico): | 7.3ns, 11ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 |
| Outros nomes: | ZXGD3001E6TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequência de entrada: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | ZXGD3001E6TA |
| Tensão lógica - VIL, VIH: | - |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| Tipo de portão: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Descrição expandida: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-23-6 |
| Configuração Driven: | Low-Side |
| Descrição: | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia): | 9A, 9A |
| Base-saturação do emissor Tensão (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para ZXGD3001E6TA
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | inquérito |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | inquérito |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | inquérito |
|
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | inquérito |
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | inquérito |
|
ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | inquérito |
|
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | inquérito |
|
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | inquérito |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | inquérito |
|
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog