ZXM66P02N8TA
ZXM66P02N8TA
Modelo do Produto:
ZXM66P02N8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19309 Pieces
Ficha de dados:
ZXM66P02N8TA.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.56W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXM66P02N8TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ZXM66P02N8TA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2068pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.4A (Ta)
Email:[email protected]

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