ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Modelo do Produto:
ZXMN3A06DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19430 Pieces
Ficha de dados:
ZXMN3A06DN8TA.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:1.8W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXMN3A06DN8TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:ZXMN3A06DN8TA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:796pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.9A
Email:[email protected]

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