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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TA
Modelo do Produto:
ZXTDE4M832TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15975 Pieces
Ficha de dados:
ZXTDE4M832TA.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V, 70V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP (3x2)
Série:-
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:ZXTDE4M832TATR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ZXTDE4M832TA
Frequência - Transição:160MHz, 180MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Descrição:TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):25nA
Atual - Collector (Ic) (Max):3.5A, 2.5A
Email:[email protected]

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