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1SS307E,L3F
- Modelo do Produto:
- 1SS307E,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SW GP 80V 100MA ESC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18796 Pieces
- Ficha de dados:
- 1SS307E,L3F.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 1SS307E,L3F, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 1SS307E,L3F por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.3V @ 100mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 80V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SC-79 |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-79, SOD-523 |
| Outros nomes: | 1SS307E,L3F(B 1SS307E,L3F(T 1SS307EL3FTR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1SS307E,L3F |
| Descrição expandida: | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79 |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE SW GP 80V 100MA ESC |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10nA @ 80V |
| Atual - rectificada média (Io): | 100mA |
| Capacitância @ Vr, F: | 6pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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