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2N7636-GA
- Modelo do Produto:
- 2N7636-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- TRANS SJT 650V 4A TO276
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 18166 Pieces
- Ficha de dados:
- 2N7636-GA.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2N7636-GA, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2N7636-GA por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-276 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 415 mOhm @ 4A |
| Dissipação de energia (Max): | 125W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-276AA |
| Outros nomes: | 1242-1147 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 2N7636-GA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | 650V 4A (Tc) (165°C) 125W (Tc) Surface Mount TO-276 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | TRANS SJT 650V 4A TO276 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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