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2SD1221-Y(Q)
- Modelo do Produto:
- 2SD1221-Y(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19609 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SD1221-Y(Q).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SD1221-Y(Q), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SD1221-Y(Q) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 300mA, 3A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PW-MOLD |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SD1221-Y(Q) |
| Frequência - Transição: | 3MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 1W Surface Mount PW-MOLD |
| Descrição: | TRANS NPN 60V 3A PW MOLD |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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