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2SJ665-DL-1EX
- Modelo do Produto:
- 2SJ665-DL-1EX
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 100V 27A TO263
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19247 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SJ665-DL-1EX.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SJ665-DL-1EX, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SJ665-DL-1EX por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263-2 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 77 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 65W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de operação: | 150°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SJ665-DL-1EX |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 100V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 100V 27A TO263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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