PHD38N02LT,118
PHD38N02LT,118
Modelo do Produto:
PHD38N02LT,118
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19611 Pieces
Ficha de dados:
PHD38N02LT,118.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max):57.6W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:934057587118
PHD38N02LT /T3
PHD38N02LT /T3-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:PHD38N02LT,118
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:44.7A (Tc)
Email:[email protected]

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