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2SK1119(F)
- Modelo do Produto:
- 2SK1119(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12200 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 100W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SK1119(F) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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