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TPH12008NH,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPH12008NH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N CH 80V 24A SOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17093 Pieces
- Ficha de dados:
- TPH12008NH,L1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPH12008NH,L1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPH12008NH,L1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 300µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Série: | U-MOSVIII-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.6W (Ta), 48W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NHL1Q TPH12008NHL1QTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPH12008NH,L1Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 80V |
| Descrição: | MOSFET N CH 80V 24A SOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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