AOB411L_001
AOB411L_001
Modelo do Produto:
AOB411L_001
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19916 Pieces
Ficha de dados:
AOB411L_001.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (D²Pak)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):187W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AOB411L_001
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6400pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 8A (Ta), 78A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta), 78A (Tc)
Email:[email protected]

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