AOB412L
AOB412L
Modelo do Produto:
AOB412L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12887 Pieces
Ficha de dados:
1.AOB412L.pdf2.AOB412L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (D²Pak)
Série:SDMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.6W (Ta), 150W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AOB412L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.2A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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