APT45GR65B2DU30
Modelo do Produto:
APT45GR65B2DU30
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17201 Pieces
Ficha de dados:
APT45GR65B2DU30.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condição de teste:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:15ns/100ns
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):80ns
Power - Max:543W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT45GR65B2DU30
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:203nC
Descrição expandida:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
Descrição:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Atual - Collector Pulsada (ICM):224A
Atual - Collector (Ic) (Max):118A
Email:[email protected]

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