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APT65GP60B2G
- Modelo do Produto:
- APT65GP60B2G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- IGBT 600V 100A 833W TMAX
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16613 Pieces
- Ficha de dados:
- APT65GP60B2G.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condição de teste: | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 30ns/91ns |
| Alternando Energia: | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Série: | POWER MOS 7® |
| Power - Max: | 833W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 Variant |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | APT65GP60B2G |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | PT |
| portão de carga: | 210nC |
| Descrição expandida: | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Descrição: | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 250A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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