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APT65GP60L2DQ2G
- Modelo do Produto:
- APT65GP60L2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- IGBT 600V 198A 833W TO264
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15779 Pieces
- Ficha de dados:
- APT65GP60L2DQ2G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APT65GP60L2DQ2G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APT65GP60L2DQ2G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condição de teste: | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 30ns/90ns |
| Alternando Energia: | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Série: | POWER MOS 7® |
| Power - Max: | 833W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-264-3, TO-264AA |
| Outros nomes: | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | APT65GP60L2DQ2G |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | PT |
| portão de carga: | 210nC |
| Descrição expandida: | IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole |
| Descrição: | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 250A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 198A |
| Email: | [email protected] |
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