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APT70GR65B2SCD30
- Modelo do Produto:
- APT70GR65B2SCD30
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18896 Pieces
- Ficha de dados:
- APT70GR65B2SCD30.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APT70GR65B2SCD30, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APT70GR65B2SCD30 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condição de teste: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 19ns/170ns |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | T-MAX™ [B2] |
| Série: | * |
| Power - Max: | 595W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APT70GR65B2SCD30 |
| Tipo de IGBT: | NPT |
| portão de carga: | 305nC |
| Descrição expandida: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Descrição: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 260A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 134A |
| Email: | [email protected] |
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