APT70SM70B
Modelo do Produto:
APT70SM70B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
POWER MOSFET - SIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15424 Pieces
Ficha de dados:
APT70SM70B.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 [B]
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 32.5A, 20V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT70SM70B
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Escorra a tensão de fonte (Vdss):700V
Descrição:POWER MOSFET - SIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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