APTGT100DA120D1G
Modelo do Produto:
APTGT100DA120D1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 150A 520W D1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12918 Pieces
Ficha de dados:
1.APTGT100DA120D1G.pdf2.APTGT100DA120D1G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 100A
Embalagem do dispositivo fornecedor:D1
Série:-
Power - Max:520W
Caixa / Gabinete:D1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APTGT100DA120D1G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:7nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição expandida:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1
Descrição:IGBT 1200V 150A 520W D1
Atual - Collector Cutoff (Max):3mA
Atual - Collector (Ic) (Max):150A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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