APTM120SK56T1G
Modelo do Produto:
APTM120SK56T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13626 Pieces
Ficha de dados:
1.APTM120SK56T1G.pdf2.APTM120SK56T1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:672 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max):390W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APTM120SK56T1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7736pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A 390W (Tc) Chassis Mount SP1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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