APTM120TDU57PG
APTM120TDU57PG
Modelo do Produto:
APTM120TDU57PG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17610 Pieces
Ficha de dados:
1.APTM120TDU57PG.pdf2.APTM120TDU57PG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6-P
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:684 mOhm @ 8.5A, 10V
Power - Max:390W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTM120TDU57PG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5155pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:187nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP6-P
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A
Email:[email protected]

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