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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > BLC6G22LS-75,112
BLC6G22LS-75,112
Modelo do Produto:
BLC6G22LS-75,112
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14909 Pieces
Ficha de dados:
BLC6G22LS-75,112.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Teste:28V
Tensão - M:65V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT896B, DFM2
Série:-
Potência:17W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT896B
Outros nomes:934061298112
Fator de ruído:-
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BLC6G22LS-75,112
Ganho:18.5dB
Freqüência:2.11GHz ~ 2.17GHz
Descrição expandida:RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
Descrição:FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
Potência nominal:18A
Atual - Teste:690mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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ON5233,118 Image ON5233,118 NXP USA Inc. MOSFET RF SOT428DPAK inquérito
MRF373ALR1 Image MRF373ALR1 NXP USA Inc. FET RF 70V 860MHZ NI-360 inquérito
MRFG35010AR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF inquérito
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MRF5S21100HR3 Image MRF5S21100HR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 inquérito
BLF888AS,112 Image BLF888AS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B inquérito
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NE650103M-A CEL FET RF 15V 2.3GHZ 3M inquérito
BLF6G10LS-160RN,11 Image BLF6G10LS-160RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B inquérito

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