BSC029N025S G
BSC029N025S G
Modelo do Produto:
BSC029N025S G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17651 Pieces
Ficha de dados:
BSC029N025S G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 80µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 78W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC029N025S G-ND
BSC029N025SGINTR
BSC029N025SGXT
SP000095465
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BSC029N025S G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5090pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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