BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1
Modelo do Produto:
BSC070N10NS5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17560 Pieces
Ficha de dados:
BSC070N10NS5ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC070N10NS5ATMA1TR
SP001241596
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC070N10NS5ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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