BSC750N10ND G
BSC750N10ND G
Modelo do Produto:
BSC750N10ND G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14721 Pieces
Ficha de dados:
1.BSC750N10ND G.pdf2.BSC750N10ND G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 12µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:75 mOhm @ 13A, 10V
Power - Max:26W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GTR
BSC750N10NDG
BSC750N10NDGATMA1
SP000359610
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC750N10ND G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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