BSF083N03LQ G
BSF083N03LQ G
Modelo do Produto:
BSF083N03LQ G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14339 Pieces
Ficha de dados:
BSF083N03LQ G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 36W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-WDSON
Outros nomes:SP000597834
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BSF083N03LQ G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 53A (Tc)
Email:[email protected]

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