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BSH111,215
- Modelo do Produto:
- BSH111,215
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18304 Pieces
- Ficha de dados:
- BSH111,215.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BSH111,215, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BSH111,215 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-236AB (SOT23) |
| Série: | TrenchMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 830mW (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | 568-1657-2 934056036215 BSH111 T/R BSH111215 |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | BSH111,215 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 335mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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