BSH111,235
BSH111,235
Modelo do Produto:
BSH111,235
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15146 Pieces
Ficha de dados:
BSH111,235.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236AB (SOT23)
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):830mW (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:934056036235
BSH111 /T3
BSH111 /T3-ND
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BSH111,235
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:335mA (Ta)
Email:[email protected]

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