BSR802N L6327
Modelo do Produto:
BSR802N L6327
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19104 Pieces
Ficha de dados:
BSR802N L6327.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:750mV @ 30µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-SC-59
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 3.7A, 2.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:BSR802N L6327-ND
BSR802N L6327INTR
BSR802NL6327
BSR802NL6327HTSA1
SP000442484
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:BSR802N L6327
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1447pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 2.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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