BSZ042N04NS G
BSZ042N04NS G
Modelo do Produto:
BSZ042N04NS G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17920 Pieces
Ficha de dados:
BSZ042N04NS G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 36µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TSDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:BSZ042N04NSGINCT
BSZ042N04NSGINCT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BSZ042N04NS G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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