BSZ042N06NSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
Modelo do Produto:
BSZ042N06NSATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17604 Pieces
Ficha de dados:
BSZ042N06NSATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 36µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TSDSON-8-FL
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSZ042N06NSATMA1TR
BSZ042N06NSTR
BSZ042N06NSTR-ND
SP000917418
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:BSZ042N06NSATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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