Comprar BSZ086P03NS3E G com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 105µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TSDSON-8 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
Outros nomes: | BSZ086P03NS3E G-ND BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1 SP000473016 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
Número de peça do fabricante: | BSZ086P03NS3E G |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4785pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 57.5nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
Descrição: | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |