NP23N06YDG-E1-AY
Modelo do Produto:
NP23N06YDG-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18789 Pieces
Ficha de dados:
NP23N06YDG-E1-AY.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-HSON
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:27 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Outros nomes:NP23N06YDG-E1-AY-ND
NP23N06YDG-E1-AYTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NP23N06YDG-E1-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 23A (Tc) 1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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