C2M0025120D
C2M0025120D
Modelo do Produto:
C2M0025120D
Fabricante:
Cree
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19336 Pieces
Ficha de dados:
C2M0025120D.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 10mA
Vgs (Max):+25V, -10V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:Z-FET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:34 mOhm @ 50A, 20V
Dissipação de energia (Max):463W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:C2M0025120D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2788pF @ 1000V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:161nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1200V (1.2kV) 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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