Comprar C2M0045170D com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 18mA |
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Vgs (Max): | +25V, -10V |
Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247-3 |
Série: | C2M™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 70 mOhm @ 50A, 20V |
Dissipação de energia (Max): | 520W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Número de peça do fabricante: | C2M0045170D |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3672pF @ 1kV |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 188nC @ 20V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 1700V (1.7kV) 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 20V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
Descrição: | MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 72A (Tc) |
Email: | [email protected] |